Химик механик планаризация(CMP) - алдынгы ярымүткәргеч җитештерүдә төп процесс. Ул пластина өслекләре буенча атом дәрәҗәсендәге яссылык бирә, күп катламлы архитектуралар, җайланмаларны тыгызрак тутыру һәм ышанычлырак нәтиҗә бирү мөмкинлеген бирә. CMP бер үк вакытта химик һәм механик гамәлләрне берләштерә - әйләнүче пластина һәм махсус полировкалау суспензиясе ярдәмендә - артык пленкаларны һәм тигез өслек тигезсезлекләрен бетерү өчен, бу интеграль схемаларда үзенчәлекләрне үрнәкләү һәм тигезләү өчен бик мөһим.
CMPдан соң пластина сыйфаты полировкалаучы суспензия составын һәм үзенчәлекләрен җентекләп контрольдә тотуга нык бәйле. Суспензиядә абразив кисәкчәләр, мәсәлән, церий оксиды (CeO₂) бар, алар физик абразивлыкны һәм химик реакция тизлеген оптимальләштерү өчен эшләнгән химик матдәләр коктейлендә кулланыла. Мәсәлән, церий оксиды кремний нигезендәге пленкалар өчен оптималь катылык һәм өслек химиясен тәкъдим итә, бу аны күп кенә CMP кушымталарында сайланган материал итә. CMP нәтиҗәлелеге абразив кисәкчәләрнең үзлекләре белән генә түгел, ә суспензия концентрациясен, рН һәм тыгызлыкны төгәл идарә итү белән дә билгеләнә.
Химик механик планаризация
*
Ярымүткәргечләр җитештерүдә шламнарны полировкалау нигезләре
Химик механик яссыландыру процессында полировкалау суспензияләре үзәк урынны ала. Алар пластина өслекләрендә механик абразивлыкка һәм химик өслекне үзгәртүгә ирешү өчен эшләнгән катлаулы катнашмалар. CMP суспензияләренең төп рольләренә материалны нәтиҗәле бетерү, яссылыкны контрольдә тоту, пластинаның зур мәйданнарында бер төрлелек һәм кимчелекләрне минимальләштерү керә.
Полировкалау суспензияләренең роле һәм составы
Гадәти CMP суспензиясе сыек матрицада асылынып торган абразив кисәкчәләрне үз эченә ала, алар химик өстәмәләр һәм стабилизаторлар белән тулыландырыла. Һәр компонент аерым роль уйный:
- Абразивлар:Бу вак, каты кисәкчәләр - нигездә, ярымүткәргеч кушымталарда кремний диоксиды (SiO₂) яки церий оксиды (CeO₂) - материалны бетерүнең механик өлешен башкара. Аларның концентрациясе һәм кисәкчәләр зурлыгы таралышы бетерү тизлеген дә, өслек сыйфатын да контрольдә тота. Абразив состав гадәттә авырлыгы буенча 1% тан 5% ка кадәр, кисәкчәләрнең диаметрлары 20 нм һәм 300 нм арасында, пластинаның артык тырналуын булдырмас өчен катгый билгеләнгән.
- Химик өстәмәләр:Бу агентлар нәтиҗәле планаризация өчен химик мохит булдыра. Оксидлаштыргычлар (мәсәлән, водород пероксиды) җиңелрәк эшкәртелә торган өслек катламнары барлыкка килүне җиңеләйтә. Комплекслаучы яки хелатлаучы агентлар (мәсәлән, аммоний персульфаты яки лимон кислотасы) металл ионнарын бәйли, бетерүне көчәйтә һәм кимчелекләр барлыкка килүне баса. Ингибиторлар янәшәдәге яки астагы пластина катламнарының теләмәгән рәвештә кисүен булдырмас өчен кертелә, сайлап алучанлыкны яхшырта.
- Стабилизаторлар:Өслек актив матдәләр һәм pH буферлары шлам тотрыклылыгын һәм тигез дисперсияне саклый. Өслек актив матдәләр абразив агломерацияне булдырмый, бер төрле бетерү тизлеген тәэмин итә. pH буферлары химик реакция тизлеген тотрыклы итәргә мөмкинлек бирә һәм кисәкчәләрнең туплануы яки коррозия ихтималын киметә.
Һәр компонентның формуласы һәм концентрациясе пластина материалына, җайланма структурасына һәм химик механик планаризация процессында катнашкан процесс этабына туры китереп эшләнгән.
Гадәти суспензияләр: кремний диоксиды (SiO₂) һәм церий оксиды (CeO₂)
Кремний диоксиды (SiO₂) ялтырату суспензияләреоксид планаризациясе этапларында өстенлек итә, мәсәлән, катламара диэлектрик (ILD) һәм сай траншея изоляциясе (STI) белән полировкалау. Алар абразивлар буларак коллоид яки төтенләнгән кремний диоксидын кулланалар, еш кына төп (рН ~10) мохиттә, һәм кайвакыт тырналу кимчелекләрен чикләү һәм бетерү тизлеген оптимальләштерү өчен кечкенә өслек актив матдәләр һәм коррозия ингибиторлары белән тулыландырыла. Кремний диоксиды кисәкчәләре үзләренең бер төрле зурлыгы һәм түбән катылыгы өчен бәяләнә, нечкә катламнар өчен яраклы материалны йомшак, бер төрле бетерүне тәэмин итә.
Церий оксиды (CeO₂) полировкалау суспензияләреюгары сайлап алучанлык һәм төгәллек таләп итүче катлаулы кушымталар өчен сайлана, мәсәлән, пыяла субстратын соңгы ялтырату, субстратны алдынгы планлаштыру һәм ярымүткәргеч җайланмалардагы кайбер оксид катламнары. CeO₂ абразивлары, бигрәк тә кремний диоксиды өслекләре белән, уникаль реактивлык күрсәтә, бу химик һәм механик бетерү механизмнарын тәэмин итә. Бу икеләтә тәэсир итү үзенчәлеге түбән кимчелек дәрәҗәләрендә югарырак планлаштыру тизлеген тәэмин итә, бу CeO₂ шламнарын пыяла, каты диск субстратлары яки алдынгы логик җайланма төеннәре өчен кулайрак итә.
Абразивларның, өстәмәләрнең һәм стабилизаторларның функциональ максаты
- АбразивларМеханик абразивлауны башкарыгыз. Аларның зурлыгы, формасы һәм концентрациясе бетерү тизлеген һәм өслекнең бизәлешен билгели. Мәсәлән, 50 нм тигез кремний абразивлары оксид катламнарының йомшак, тигез яссылыгын тәэмин итә.
- Химик өстәмәләрӨслек оксидлашуын һәм эревен җиңеләйтү юлы белән сайлап алу мөмкинлеген бирә. Бакыр CMPда глицин (комплекслаштыручы агент буларак) һәм водород пероксиды (оксидлаштыручы буларак) синергетик рәвештә эшли, ә BTA бакыр үзенчәлекләрен саклаучы ингибитор булып тора.
- Стабилизаторлар: Вакыт узу белән суспензия составын тигез тотыгыз. Өслекле актив матдәләр седиментация һәм агломерацияне булдырмый, абразив кисәкчәләрнең даими таралуын һәм процесс өчен яраклы булуын тәэмин итә.
Уникаль үзенчәлекләр һәм куллану сценарийлары: CeO₂ һәм SiO₂ суспензияләре
CeO₂ ялтырату суспензиясеҮзенең химик реактивлыгы аркасында пыяла һәм кремний оксиды арасында югары селективлык тәкъдим итә. Ул, бигрәк тә, югары материал селективлыгы мөһим булган каты, сынучан субстратларны яки композит оксид катламнарын тигезләү өчен нәтиҗәле. Бу CeO₂ шламнарын ярымүткәргечләр сәнәгатендә алдынгы субстрат әзерләүдә, төгәл пыяла эшкәртүдә һәм махсус сай траншея изоляциясе (STI) CMP адымнарында стандарт итә.
SiO₂ ялтырату суспензиясемеханик һәм химик чистартуның баланслы комбинациясен тәэмин итә. Ул күләмле оксид һәм катламара диэлектрик планаризация өчен киң кулланыла, анда югары үткәрүчәнлек һәм минималь кимчелек таләп ителә. Кремнийның бердәм, контрольдә тотылган кисәкчәләр зурлыгы шулай ук тырналу барлыкка килүен чикли һәм югары сыйфатлы соңгы өслекне тәэмин итә.
Кисәкчәләр зурлыгы һәм дисперсия бердәмлегенең әһәмияте
Кисәкчәләрнең зурлыгы һәм дисперсиянең бердәмлеге шламның эшләве өчен бик мөһим. Нанометр масштабындагы бер үк абразив кисәкчәләр материалны бердәй бетерү тизлеген һәм кимчелексез пластина өслеген гарантияли. Агломерация тырналу яки көтелмәгән ялтыратуга китерә, ә киң зурлыктагы бүленешләр тигез булмаган яссылыкка һәм кимчелек тыгызлыгының артуына китерә.
Шлам концентрациясен нәтиҗәле контрольдә тоту - шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмасы яки ультратавышлы шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмалары кебек технологияләр ярдәмендә күзәтелә - даими абразив йөкләнешне һәм фаразланырлык процесс нәтиҗәләрен тәэмин итә, нәтиҗәгә һәм җайланма эшчәнлегенә турыдан-туры тәэсир итә. Химик механик планерлаштыру җиһазларын урнаштыру һәм процессны оптимальләштерү өчен төгәл тыгызлык контроленә һәм бердәм дисперсиягә ирешү төп таләпләр булып тора.
Кыскасы, полировкалау суспензияләрен формалаштыру - аеруча абразив төрен, кисәкчәләр зурлыгын һәм стабилизацияләү механизмнарын сайлау һәм контрольдә тоту - ярымүткәргечләр сәнәгатендә химик механик планаризация процессының ышанычлылыгын һәм нәтиҗәлелеген тәэмин итә.
CMPда суспензия тыгызлыгын үлчәүнең әһәмияте
Химик механик яссыландыру процессында суспензия тыгызлыгын төгәл үлчәү һәм контрольдә тоту пластинаны шомартуның нәтиҗәлелегенә һәм сыйфатына турыдан-туры йогынты ясый. Шустушөя тыгызлыгы - шомарту суспензиясендәге абразив кисәкчәләрнең концентрациясе - үзәк процесс рычагы булып хезмәт итә, шомарту тизлеген, өслекнең соңгы сыйфатын һәм пластинаның гомуми чыгышын формалаштыра.
Шлам тыгызлыгы, полировка тизлеге, өслек сыйфаты һәм пластина чыгышы арасындагы бәйләнеш
CeO₂ полировкалау суспензиясе яки башка полировкалау суспензиясе составындагы абразив кисәкчәләр концентрациясе материалның пластина өслегеннән ни дәрәҗәдә тиз чыгарылуын билгели, гадәттә аны бетерү тизлеге яки материалны бетерү тизлеге (MRR) дип атыйлар. Шлам тыгызлыгының артуы, гадәттә, берәмлек мәйданга абразив контактлар санын арттыра, полировкалау тизлеген тизләтә. Мәсәлән, 2024 елгы контроль тикшеренүдә коллоид шламда кремний диоксиды кисәкчәләре концентрациясен 5 авырлык% ка кадәр арттыру 200 мм кремний пластиналары өчен бетерү тизлеген максимальләштергәне хәбәр ителде. Ләкин бу бәйләнеш сызыклы түгел - кире кайтару кимү ноктасы бар. Шлам тыгызлыгы югарырак булганда, кисәкчәләр агломерациясе масса ташуның бозылуы һәм ябышлыкның артуы аркасында бетерү тизлегенең платога яки хәтта кимүенә китерә.
Өслек сыйфаты суспензия тыгызлыгына да шулай ук сизгер. Югары концентрацияләрдә тырналу, чүбек һәм чокырлар кебек кимчелекләр ешрак очрый. Шул ук тикшеренүдә суспензия тыгызлыгы 8–10% тан артык артканда өслекнең тигезсезлегенең сызыклы артуы һәм тырналу тыгызлыгының сизелерлек артуы күзәтелгән. Киресенчә, тыгызлыкны киметү кимчелек куркынычын киметә, ләкин бетерүне акрынайта һәм яссылыкны боза ала.
Лавра чыгышы, ягъни лавраларның ялтыратудан соң процесс таләпләренә туры килү өлеше, шушы берләштерелгән эффектлар белән көйләнә. Югарырак кимчелек күрсәткечләре һәм тигез булмаган бетерү чыгышны киметә, заманча ярымүткәргеч җитештерүдә җитештерүчәнлек һәм сыйфат арасындагы нечкә балансны ассызыклый.
КПП процессына суспензия концентрациясенең кечкенә үзгәрешләренең йогынтысы
Оптималь суспензия тыгызлыгыннан минималь тайпылышлар да - процент өлешләре - процесс нәтиҗәсенә сизелерлек йогынты ясый ала. Әгәр абразив концентрация максаттан югарырак булса, кисәкчәләр туплануы барлыкка килергә мөмкин, бу колодкаларның һәм кондиционер дискларының тиз тузуына, өслекнең тырналу тизлегенең артуына һәм химик механик планаризация җиһазларында сыек компонентларның тыгылуына яки эрозиясенә китерергә мөмкин. Тыгызлык түбән булу калдык пленкалар һәм тигез булмаган өслек топографияләре калдырырга мөмкин, бу исә фотолитографиянең киләсе адымнарын авырлаштыра һәм нәтиҗәне киметә.
Шлам тыгызлыгындагы үзгәрешләр шулай ук пластинадагы химик-механик реакцияләргә тәэсир итә, бу дефектлылыкка һәм җайланма эшчәнлегенә йогынты ясый. Мәсәлән, сыекландырылган шламнардагы кечерәк яки тигез булмаган таралышкан кисәкчәләр җирле чыгару тизлегенә тәэсир итә, зур күләмле җитештерүдә процесс хаталары буларак таралырга мөмкин булган микротопография барлыкка китерә. Бу нечкәлекләр, бигрәк тә алга киткән төеннәрдә, шлам концентрациясен катгый контрольдә тотуны һәм ныклы күзәтүне таләп итә.
Реаль вакыт режимында шлам тыгызлыгын үлчәү һәм оптимизацияләү
Lonnmeter тарафыннан җитештерелгән ультратавышлы суспензия тыгызлыгы үлчәү җайланмалары кебек сызык эчендәге тыгызлык үлчәү җайланмаларын урнаштыру ярдәмендә шлам тыгызлыгын реаль вакыт режимында үлчәү хәзер алдынгы ярымүткәргеч сәнәгате кушымталарында стандарт булып тора. Бу җайланмалар шлам параметрларын өзлексез күзәтергә мөмкинлек бирә, шлам CMP кораллар җыелмалары һәм тарату системалары аша үткәндә тыгызлык тирбәнешләре турында тиз арада кире элемтә бирә.
Реаль вакыт режимында шлам тыгызлыгын үлчәүнең төп өстенлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала:
- Спецификациядән читләшкән шартларны тиз арада ачыклау, кыйммәтле түбән агым процесслары аша кимчелекләрнең таралуын булдырмау.
- Процессны оптимальләштерү — инженерларга оптималь шлам тыгызлыгы тәрәзәсен сакларга мөмкинлек бирә, дефектларны минимальләштереп, бетерү тизлеген максимальләштерә.
- Пластиналар арасындагы консистенцияне һәм партиядән партиягә кадәр яхшырту, гомуми җитештерү нәтиҗәлелеген арттыра.
- Җиһазларның озак вакыт эшләве, чөнки артык концентрацияләнгән яки җитәрлек концентрацияләнмәгән сыекчалар полировкалау дискларының, миксерларның һәм бүлү сантехникасының тузуын тизләтергә мөмкин.
CMP җиһазларын урнаштыру урыннарында, гадәттә, үлчәү зонасы аша үрнәк элмәкләре яки рециркуляция линияләре үткәрелә, бу тыгызлык күрсәткечләренең пластиналарга китерелгән чын агымны чагылдыруын тәэмин итә.
Төгәл һәм реаль вакыт режимындасуспензия тыгызлыгын үлчәүныклы шлам тыгызлыгын контрольдә тоту ысулларының нигезен тәшкил итә, билгеле һәм яңа полировкалау шламы формулаларын, шул исәптән алдынгы катламлы катламнар һәм оксид CMP өчен катлаулы церий оксиды (CeO₂) шламнарын хуплый. Бу мөһим параметрны саклап калу химик механик планаризация процессында җитештерүчәнлеккә, чыгымнарны контрольдә тотуга һәм җайланманың ышанычлылыгына турыдан-туры бәйле.
Шлам тыгызлыгын үлчәү принциплары һәм технологияләре
Шлам тыгызлыгы химик механик планаризациядә (CMP) кулланыла торган церий оксиды (CeO₂) формулалары кебек полировкалау шламындагы берәмлек күләмдәге каты матдәләрнең массасын сурәтли. Бу үзгәрүчән материалны чыгару тизлеген, чыгышның бер төрлелеген һәм полировкаланган пластиналардагы кимчелек дәрәҗәсен билгели. Шлам тыгызлыгын нәтиҗәле үлчәү шлам концентрациясен алдынгы контрольдә тоту өчен бик мөһим, ул ярымүткәргечләр сәнәгатендә куллануда уңышка һәм кимчелеккә турыдан-туры йогынты ясый.
CMP операцияләрендә төрле үлчәү принципларын кулланып, төрле суспензия тыгызлыгы үлчәү җайланмалары кулланыла. Гравиметрик ысуллар билгеләнгән суспензия күләмен җыюга һәм үлчәүгә нигезләнә, югары төгәллек бирә, ләкин реаль вакыт режимында эшләү мөмкинлеге юк һәм аларны CMP җиһазларын урнаштыру урыннарында өзлексез куллану өчен гамәли түгел итә. Электромагнит тыгызлык үлчәү җайланмалары асылмалы абразив кисәкчәләр аркасында үткәрүчәнлек һәм диэлектрик үткәргечлек үзгәрешләренә нигезләнеп тыгызлыкны билгеләү өчен электромагнит кырлар куллана. Вибрация үлчәү җайланмалары, мәсәлән, тибрәнү трубка денситометрлары, суспензия белән тутырылган трубканың ешлык реакциясен үлчи; тыгызлык үзгәрешләре тибрәнү ешлыгына тәэсир итә, өзлексез күзәтү мөмкинлеге бирә. Бу технологияләр линия эчендәге күзәтүне хуплый, ләкин пычрануга яки химик үзгәрешләргә сизгер була ала.
УЗИ суспензия тыгызлыгын үлчәү җайланмалары химик-механик планаризациядә реаль вакыт тыгызлыгын күзәтү өчен төп технологик алгарыш булып тора. Бу җайланмалар суспензия аша ультратавыш дулкыннарын чыгара һәм тавыш таралу вакытын яки тизлеген үлчи. Мохиттәге тавыш тизлеге аның тыгызлыгына һәм каты матдәләрнең концентрациясенә бәйле, бу суспензия үзлекләрен төгәл билгеләргә мөмкинлек бирә. УЗИ механизмы CMP өчен хас булган абразив һәм химик яктан агрессив мохит өчен бик яраклы, чөнки ул интрузив түгел һәм туры контакт үлчәү җайланмалары белән чагыштырганда сенсор пычрануын киметә. Lonnmeter ярымүткәргеч сәнәгате CMP линияләре өчен махсус эшләнгән сызыклы ультратавыш суспензия тыгызлыгын үлчәү җайланмаларын җитештерә.
УЗИ шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмаларының өстенлекләре түбәндәгеләрне үз эченә ала:
- Тыныч үлчәү: Датчиклар гадәттә тышкы яктан яки әйләнеп узу агымы күзәнәкләре эчендә урнаштырыла, шуның белән лайлага тәэсир итүне минимальләштерәләр һәм датчик өслекләренең ышкылуын булдырмыйлар.
- Реаль вакыт режимындагы мөмкинлек: Өзлексез чыгару процессны шунда ук көйләргә мөмкинлек бирә, пластинаны оптималь ялтырату сыйфаты өчен шлам тыгызлыгы билгеләнгән параметрлар эчендә калуын тәэмин итә.
- Югары төгәллек һәм ныклык: УЗИ сканерлары тотрыклы һәм кабатланырлык күрсәткечләр бирә, озак вакытлы урнаштыру вакытында суспензия химиясенең үзгәрүенә яки кисәкчәләр йөкләмәсенә тәэсир итми.
- CMP җиһазлары белән интеграция: Аларның дизайны рециркуляцияле шлам линияләрендә яки китерү коллекторларында урнаштыруны хуплый, озак вакыт эшләмичә процессны контрольдә тотуны җиңеләйтә.
Ярымүткәргечләр җитештерү өлкәсендәге соңгы очракларны өйрәнү нәтиҗәләре күрсәткәнчә, церий оксиды (CeO₂) белән полировкалау шламы процесслары өчен химик механик планлаштыру җиһазларын урнаштыруны тулыландырганда, тыгызлык мониторингы дефектлылыкның 30% ка кадәр кимүен күрсәтә. УЗИ сенсорларыннан автоматлаштырылган кире элемтә полировкалау шламы формулаларын катгыйрак контрольдә тотарга мөмкинлек бирә, нәтиҗәдә калынлыкның бердәмлеге яхшыра һәм материал калдыклары кими. УЗИ тыгызлык үлчәгечләре, ныклы калибрлау протоколлары белән берләштерелгәндә, алдынгы CMP операцияләрендә еш очрый торган шлам составы үзгәрешләре шартларында ышанычлы эш сыйфатын саклый.
Кыскасы, реаль вакыт режимында шлам тыгызлыгын үлчәү, аеруча ультратавыш технологиясен кулланып, CMPда төгәл шлам тыгызлыгын контрольдә тоту ысуллары өчен үзәккә әйләнде. Бу алгарышлар ярымүткәргечләр сәнәгатендә чыгышны, процесс нәтиҗәлелеген һәм пластина сыйфатын турыдан-туры яхшырта.
CMP системаларында урнаштыру урыннары һәм интеграциясе
Химик механик планарлаштыру процессында суспензия концентрациясен контрольдә тоту өчен суспензия тыгызлыгын дөрес үлчәү бик мөһим. Шприц тыгызлыгы үлчәгечләре өчен нәтиҗәле урнаштыру нокталарын сайлау төгәллеккә, процесс тотрыклылыгына һәм пластина сыйфатына турыдан-туры йогынты ясый.
Урнаштыру нокталарын сайлау өчен мөһим факторлар
CMP җайланмаларында тыгызлык үлчәгечләре пластинаны ялтырату өчен кулланылган чын шламны күзәтү өчен урнаштырылырга тиеш. Төп урнаштыру урыннары түбәндәгеләрне үз эченә ала:
- Рециркуляция багы:Счетчикны чыгу урынына урнаштыру, тарату алдыннан төп шлам торышы турында күзаллау бирә. Ләкин бу урында агымның аскы өлешендә булган үзгәрешләр, мәсәлән, күбекләр барлыкка килү яки җирле җылылык эффектлары күзәтелмәскә мөмкин.
- Китерү линияләре:Катнаштыргыч җайланмалардан соң һәм бүлү коллекторларына керер алдыннан урнаштыру тыгызлыкны үлчәү суспензиянең соңгы формуласын, шул исәптән церий оксиды (CeO₂) ялтырату суспензиясен һәм башка өстәмәләрне чагылдыруын тәэмин итә. Бу позиция пластиналар эшкәртелгәнче үк суспензия концентрациясе үзгәрүен тиз арада ачыкларга мөмкинлек бирә.
- Куллану ноктасын күзәтү:Оптималь урын - куллану ноктасындагы клапан яки коралдан турыдан-туры өске агымда. Бу реаль вакыт режимында шлам тыгызлыгын теркәп бара һәм операторларны линия җылыту, аеру яки микрокүбекләр барлыкка килү нәтиҗәсендә барлыкка килергә мөмкин булган процесс шартларындагы тайпылышлар турында кисәтә.
Урнаштыру урыннарын сайлаганда, агым режимы, торбаларның юнәлеше һәм насосларга яки клапаннарга якынлык кебек өстәмә факторларны исәпкә алырга кирәк:
- Ярдәмвертикаль урнаштырусизү элементында һава күбекләрен һәм утырма туплануын минимальләштерү өчен өскә таба агым белән.
- Агым бозылулары аркасында уку хаталарын булдырмас өчен, счетчик һәм турбулентлыкның төп чыганаклары (насослар, клапаннар) арасында берничә торба диаметрын саклагыз.
- Куллануагымны көйләү(турылатучылар яки тынычландыручы кисемтәләр) тотрыклы ламинар мохиттә тыгызлык үлчәвен бәяләү өчен.
Ышанычлы сенсор интеграциясе өчен гомуми кыенлыклар һәм иң яхшы тәҗрибәләр
CMP шлам системалары берничә интеграция кыенлыгы тудыра:
- Һава керү һәм күбекләр:УЗИ шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмалары, әгәр микрокүбекләр булса, тыгызлыкны ялгыш күрсәтә ала. Датчикларны һава керү нокталары яки кинәт агым күчешләре янында урнаштырудан сакланыгыз, чөнки алар гадәттә насос чыгару урыннары яки катнаштыру баклары янында була.
- Чөкмәләштерү:Горизонталь сызыкларда датчиклар утырма каты матдәләр белән очрашырга мөмкин, бигрәк тә CeO₂ полировкалау суспензиясе белән. Суспензия тыгызлыгын төгәл контрольдә тоту өчен, вертикаль урнаштыру яки утырма зоналары өстендә урнаштыру киңәш ителә.
- Сенсор пычрануы:CMP сыекчалары абразив һәм химик матдәләрне үз эченә ала, алар сенсорның пычрануына яки каплануына китерергә мөмкин. Лоннметр сызыклы җайланмалары моны киметү өчен эшләнгән, ләкин ышанычлылык өчен даими тикшерү һәм чистарту кирәк.
- Механик тибрәнүләр:Актив механик җайланмаларга якын урнаштыру сенсор эчендә шау-шу китереп чыгарырга мөмкин, бу үлчәү төгәллеген киметергә мөмкин. Минималь тибрәнү йогынтысы булган урнаштыру нокталарын сайлагыз.
Иң яхшы интеграция нәтиҗәләре өчен:
- Урнаштыру өчен ламинар агым кисемтәләрен кулланыгыз.
- Мөмкин булган һәр җирдә вертикаль тигезләүне тәэмин итегез.
- Периодик хезмәт күрсәтү һәм калибрлау өчен җиңел керү мөмкинлеген тәэмин итегез.
- Датчикларны тибрәнүдән һәм агым бозылуларыннан аерыгыз.
CMP
*
Шлам концентрациясен контрольдә тоту стратегияләре
Химик механик планаризация процессында шлам концентрациясен нәтиҗәле контрольдә тоту материалны алу тизлеген тотрыклы тоту, пластина өслегенең кимчелекләрен киметү һәм ярымүткәргеч пластиналар арасында бердәмлекне тәэмин итү өчен бик мөһим. Бу төгәллеккә ирешү өчен берничә ысул һәм технология кулланыла, алар гадиләштерелгән операцияләрне дә, югары җайланма җитештерүчәнлеген дә хуплый.
Оптималь суспензия концентрациясен саклап калу өчен техникалар һәм кораллар
Шлам концентрациясен контрольдә тоту абразив кисәкчәләрне һәм полировкалау шламындагы химик төрләрне реаль вакыт режимында күзәтүдән башлана. Церий оксиды (CeO₂) полировкалау шламы һәм башка CMP формулалары өчен, шлам тыгызлыгын сызык буенча үлчәү кебек турыдан-туры ысуллар төп әһәмияткә ия. Lonnmeter җитештергән кебек ультратавыш шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмалары шлам тыгызлыгын өзлексез үлчәү мөмкинлеге бирә, бу гомуми каты матдәләр күләме һәм бер төрлелеге белән нык бәйле.
Өстәмә ысулларга томанлылык анализы керә - анда оптик сенсорлар асылмалы абразив кисәкчәләрдән сибелүне ачыклый - һәм шлам агымындагы төп реагентларны санлаштыру өчен UV-Vis яки NIR спектроскопиясе кебек спектроскопик ысуллар. Бу үлчәүләр CMP процессын контрольдә тоту системаларының нигезен тәшкил итә, максат концентрациясе тәрәзәләрен саклап калу һәм партиядән партиягә үзгәрүчәнлекне минимальләштерү өчен турыдан-туры көйләүләр ясарга мөмкинлек бирә.
Электрохимик сенсорлар металл ионнарына бай формулаларда кулланыла, алар билгеле бер ион концентрацияләре турында тиз җавап бирү мәгълүматын бирә һәм алдынгы ярымүткәргеч сәнәгате кушымталарында алга таба көйләүне тәэмин итә.
Ябык цикллы идарә итү өчен кире элемтә цикллары һәм автоматизация
Заманча химик-механик планаризация җиһазлары урнаштыруларында сызыклы метрологияне автоматик рәвештә тарату системалары белән тоташтыручы ябык цикллы идарә итү системалары кулланыла. Шлам тыгызлыгы үлчәгечләреннән һәм аңа бәйле сенсорлардан алынган мәгълүматлар турыдан-туры программалаштырыла торган логика контроллерларына (PLC) яки таратылган идарә итү системаларына (DCS) җибәрелә. Бу системалар өстәмә су өстәү, концентрацияләнгән шлам дозалау һәм хәтта стабилизатор кертү өчен клапаннарны автоматик рәвештә эшләтә, бу процессның һәрвакыт кирәкле эш тышлыгында калуын тәэмин итә.
Бу кире элемтә архитектурасы реаль вакыт сенсорлары белән ачыкланган теләсә нинди тайпылышларны өзлексез төзәтергә мөмкинлек бирә, артык суюлтудан саклана, оптималь абразив концентрациясен саклый һәм артык химик куллануны киметә. Мәсәлән, алдынгы пластина төеннәре өчен югары җитештерүчән CMP коралында, сызыклы ультратавышлы шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмасы абразив концентрациясенең кимүен ачыклый һәм шунда ук доза системасына шлам кертүне арттырырга сигнал бирә, тыгызлык билгеләнгән ноктага кайтканчы. Киресенчә, үлчәнгән тыгызлык спецификациядән артып китсә, контроль логикасы дөрес концентрацияләрне торгызу өчен өстәмә су өстәүне башлый.
Су һәм суспензия өстәү тизлеген көйләүдә тыгызлыкны үлчәүнең роле
Суспензия тыгызлыгын үлчәү - актив концентрацияне контрольдә тотуның төп нигезе. Lonnmeter'ның тыгызлык үлчәү җайланмалары кебек җайланмалар тарафыннан бирелгән тыгызлык кыйммәте турыдан-туры ике мөһим эш параметрын күрсәтә: тупланган су күләме һәм концентрацияләнгән су агымы тизлеге.
Тыгызлык үлчәгечләрен стратегик нокталарда - мәсәлән, CMP коралы кертелгәнче яки куллану ноктасындагы миксердан соң - урнаштыру аша реаль вакыт мәгълүматлары автоматик системаларга өстәмә су өстәү тизлеген көйләргә мөмкинлек бирә, шуның белән суспензияне теләгән спецификацияләргә кадәр суыта. Шул ук вакытта, система абразив һәм химик концентрацияләрне төгәл саклап калу өчен концентрацияләнгән суспензиянең бирү тизлеген модуляцияли ала, корал куллануны, картаю йогынтысын һәм процесс нәтиҗәсендә килеп чыккан югалтуларны исәпкә ала.
Мәсәлән, 3D NAND структуралары өчен озайтылган планаризация эшләре вакытында, тыгызлыкны өзлексез күзәтү шлам агрегациясен яки утыру тенденцияләрен ачыклый, бу процесс тотрыклылыгы өчен кирәк булганда, өстәмә суның яки болгатуның автоматик рәвештә артуына китерә. Бу нык көйләнгән контроль циклы, бигрәк тә җайланма үлчәмнәре һәм процесс тәрәзәләре тарайганда, пластинадан пластинага һәм пластина эчендәге бер төрлелек максатларын катгый саклауда нигез булып тора.
Кыскасы, CMP'та шлам концентрациясен контрольдә тоту стратегияләре алдынгы линия эчендәге үлчәүләр һәм автоматлаштырылган ябык цикл җаваплары кушылмасына таяна. Шлам тыгызлыгы үлчәү җайланмалары, бигрәк тә Lonnmeter кебек ультратавыш җайланмалары, ярымүткәргеч җитештерүнең мөһим этапларында катгый процесс белән идарә итү өчен кирәкле югары сыйфатлы, вакытында мәгълүмат бирүдә төп роль уйный. Бу кораллар һәм методологияләр үзгәрүчәнлекне минимальләштерә, химик куллануны оптимальләштерү юлы белән тотрыклылыкны хуплый һәм заманча төен технологияләре өчен кирәкле төгәллекне тәэмин итә.
Ярымүткәргечләр сәнәгате өчен суспензия тыгызлыгын үлчәү җайланмасын сайлау буенча кулланма
Ярымүткәргечләр сәнәгатендә химик механик планаризация (ХМП) өчен шлам тыгызлыгы үлчәгечен сайлау төрле техник таләпләргә игътибар бирүне таләп итә. Төп эшчәнлек һәм куллану критерийларына сизгерлек, төгәллек, агрессив шлам химик матдәләре белән туры килүчәнлек һәм ХМП шламын китерү системаларына һәм җиһазлар урнаштыруга интеграцияләү җиңеллеге керә.
Сизгерлек һәм төгәллек таләпләре
CMP процессын контрольдә тоту шлам составындагы кечкенә үзгәрешләргә бәйле. Тыгызлык үлчәгеч 0,001 г/см³ яки аннан да күбрәк минималь үзгәрешләрне ачыкларга тиеш. Бу сизгерлек дәрәҗәсе абразив эчтәлектәге бик кечкенә үзгәрешләрне дә ачыклау өчен бик мөһим - мәсәлән, CeO₂ полировка шламында яки кремний нигезендәге шламнарда очрый торган үзгәрешләр - чөнки алар материалны чыгару тизлегенә, пластина яссылыгына һәм кимчелеклелеккә тәэсир итә. Ярымүткәргеч шлам тыгызлык үлчәгечләре өчен гадәти кабул ителә торган төгәллек диапазоны ±0,001–0,002 г/см³ тәшкил итә.
Агрессив суспензияләр белән туры килүчәнлек
CMPда кулланыла торган суспензияләр химик актив мохиттә асылмалы булган церий оксиды (CeO₂), алюминий оксиды яки кремний кебек абразив нанокисәкчәләрне үз эченә ала ала. Тыгызлык үлчәгеч калибрлаудан чыкмыйча яки пычранудан интегмичә, физик абразивлыкка һәм коррозияле мохиткә озак вакыт тәэсир итәргә тиеш. Чыланган детальләрдә кулланыла торган материаллар барлык еш кулланыла торган суспензия химик препаратларына инертлы булырга тиеш.
Интеграция җиңеллеге
Сызык эчендәге шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмалары гамәлдәге CMP җиһазларына җиңел урнаштырылырга тиеш. Игътибар ителә торган факторлар:
- Шламның китерелүенә тәэсир итмәс өчен, минималь үле күләм һәм түбән басым төшүе.
- Тиз урнаштыру һәм хезмәт күрсәтү өчен стандарт сәнәгать процессы тоташуларын хуплау.
- Шлам концентрациясен контрольдә тоту системалары белән реаль вакыт режимында интеграцияләү өчен чыгыш туры килүчәнлеге (мәсәлән, аналог/санлы сигналлар), ләкин бу системаларның үзләрен тәэмин итмичә.
Алдынгы сенсор технологияләренең чагыштырма үзенчәлекләре
Полировкалау шламнарының тыгызлыгын контрольдә тоту, нигездә, ике сенсор классы аша башкарыла: денситометриягә нигезләнгән һәм рефрактометриягә нигезләнгән үлчәү җайланмалары. Һәрберсе ярымүткәргеч сәнәгате кушымталары өчен мөһим булган көчле якларны тәкъдим итә.
Денситометриягә нигезләнгән үлчәү җайланмалары (мәсәлән, УЗИ суспензия тыгызлыгын үлчәү җайланмасы)
- Тавышның тыгызлыкка турыдан-туры бәйле рәвештә, лайла аша таралу тизлеген куллана.
- Төрле концентрацияләрдә һәм абразив төрләрдә тыгызлыкны үлчәүдә югары сызыклылык тәэмин итә.
- CeO₂ һәм кремний диоксиды формулаларын да кертеп, агрессив полировкалау суспензияләре өчен бик яраклы, чөнки сизү элементларын химик матдәләрдән физик яктан аерып алырга мөмкин.
- Гадәти сизгерлек һәм төгәллек 0,001 г/см³ кимрәк таләпкә туры килә.
- Урнаштыру гадәттә сызык эчендә башкарыла, бу химик-механик планаризация җиһазлары эшләгәндә өзлексез реаль вакыт режимында үлчәүләр алып барырга мөмкинлек бирә.
Рефрактометриягә нигезләнгән үлчәү җайланмалары
- Шлам тыгызлыгын билгеләү өчен сыну күрсәткечен үлчи.
- Концентрация үзгәрешләренә югары сизгерлек аркасында шлам составындагы нечкә үзгәрешләрне ачыклау өчен нәтиҗәле; <0,1% масса өлеше үзгәрешләрен хәл итә ала.
- Шулай да, сыну күрсәткече температура кебек әйләнә-тирә мохит үзгәрүчәннәренә сизгер, шуңа күрә игътибарлы калибрлау һәм температураны компенсацияләү таләп ителә.
- Химик яктан чикләнгән туры килүчәнлеккә ия булырга мөмкин, бигрәк тә бик агрессив яки тонык сыекчаларда.
Кисәкчәләр зурлыгы метрологиясе комплемент буларак
- Тыгызлык күрсәткечләре кисәкчәләр зурлыгы бүленеше яки агломерация үзгәрүе белән бозылырга мөмкин.
- Периодик кисәкчәләр зурлыгы анализы белән интеграцияләү (мәсәлән, динамик яктылык сибелүе яки электрон микроскопиясе) тармакның иң яхшы практикасы тарафыннан тәкъдим ителә, бу күренгән тыгызлык үзгәрешләренең кисәкчәләр агломерациясе аркасында гына булмавын тәэмин итә.
Лоннметр сызыклы тыгызлык үлчәгечләре өчен исәпкә алыначак әйберләр
- Lonnmeter, ярдәмче программа тәэминаты яки система интеграцияләре белән тәэмин итмичә, тыгызлык һәм ябышлык үлчәү җайланмаларын җитештерүгә махсуслаша.
- Лоннметрлар абразив, химик яктан актив CMP суспензияләренә чыдам булырлык итеп билгеләнергә мөмкин һәм ярымүткәргечле технологик җиһазларга турыдан-туры урнаштыру өчен эшләнгән, реаль вакыт режимында суспензия тыгызлыгын үлчәү ихтыяҗларына туры килә.
Вариантларны караганда, төп куллану критерийларына игътибар итегез: тыгызлык үлчәгеч кирәкле сизгерлеккә һәм төгәллеккә ирешүен, сезнең шлам химиясенә туры килә торган материаллардан ясалганлыгын, өзлексез эшләүгә чыдам булуын һәм CMP процессында шламны полировкалау линияләренә шома интеграцияләнүен тәэмин итегез. Ярымүткәргеч сәнәгате өчен шлам тыгызлыгын төгәл үлчәү пластинаның бердәмлеген, чыгышын һәм җитештерү җитештерүчәнлеген тәэмин итә.
CMP нәтиҗәләренә нәтиҗәле шлам тыгызлыгын контрольдә тотуның йогынтысы
Химик механик планлаштыру процессында суспензия тыгызлыгын төгәл контрольдә тоту бик мөһим. Тыгызлык бердәй сакланганда, полировка вакытында абразив кисәкчәләр күләме тотрыклы кала. Бу материалны бетерү тизлегенә (MRR) һәм пластинаның өслек сыйфатына турыдан-туры йогынты ясый.
Пластиналар өслеге кимчелекләрен киметү һәм WIWNUны яхшырту
Оптималь суспензия тыгызлыгын саклау пластина өслеге кимчелекләрен, мәсәлән, микротырналуларны, ваклануларны, эрозияне һәм кисәкчәләрнең пычрануын минимальләштерүгә китерә. 2024 елгы тикшеренүләр күрсәткәнчә, контрольдә тотылган тыгызлык диапазоны, гадәттә коллоид кремний нигезендәге формулалар өчен 1 авырлык% тан 5 авырлык% ка кадәр, бетерү нәтиҗәлелеге һәм кимчелекләрне минимальләштерү арасында иң яхшы баланс бирә. Артык югары тыгызлык абразив бәрелешләрне арттыра, бу атом көче микроскопиясе һәм эллипсометрия анализлары белән расланганча, квадрат сантиметрга кимчелекләр санының ике-өч тапкыр артуына китерә. Тыгызлыкны нык контрольдә тоту шулай ук пластина эчендәге тигез булмаганлыкны (WIWNU) яхшырта, материалның пластина буйлап тигез алынуын тәэмин итә, бу алдынгы төен ярымүткәргеч җайланмалар өчен бик мөһим. Даими тыгызлык пленка калынлыгы максатларына яки яссылыкка куркыныч тудырырга мөмкин булган процессларның үзгәрүен булдырмаска ярдәм итә.
Шламның гомерен озайту һәм куллану материаллары бәясен киметү
Шлам концентрациясен контрольдә тоту ысуллары, шул исәптән ультратавыш шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмалары белән реаль вакыт режимында күзәтү, CMP полировкалау шламының файдалы гомерен озайта. Артык дозалауны яки артык суюлтуны булдырмау аша, химик механик планаризация җиһазлары чыгым материалларын оптималь куллануга ирешә. Бу ысул шламны алыштыру ешлыгын киметә һәм кабат эшкәртү стратегияләрен кулланырга мөмкинлек бирә, гомуми чыгымнарны киметә. Мәсәлән, CeO₂ полировкалау шламы кушымталарында тыгызлыкны җентекләп саклау шлам партияләрен яңартырга мөмкинлек бирә һәм эш нәтиҗәлелеген киметмичә калдыклар күләмен минимальләштерә. Нәтиҗәле тыгызлык контроле процесс инженерларына кабул ителә торган эш күрсәткечләре чикләрендә калган полировкалау шламын кайтарырга һәм кабат кулланырга мөмкинлек бирә, бу чыгымнарны тагын да экономияләргә ярдәм итә.
Алга киткән төен җитештерү өчен кабатланучанлыкны һәм процесс контролен яхшырту
Заманча ярымүткәргеч сәнәгате кушымталары химик-механик планаризация этабында югары кабатланучанлыкны таләп итә. Алга киткән төен җитештерүдә, хәтта шлам тыгызлыгындагы кечкенә тирбәнешләр дә пластина нәтиҗәләрендә кабул ителмәслек үзгәрешләргә китерергә мөмкин. Лоннметер тарафыннан җитештерелгән кебек, сызыклы ультратавыш шлам тыгызлыгы үлчәгечләрен автоматлаштыру һәм интеграцияләү процессны контрольдә тоту өчен өзлексез, реаль вакыт режимында кире элемтәне җиңеләйтә. Бу җайланмалар CMP өчен хас булган каты химик мохиттә төгәл үлчәүләр бирә, тайпылышларга шунда ук җавап бирә торган ябык цикллы системаларны хуплый. Ышанычлы тыгызлык үлчәү пластинадан пластинага кадәр бердәмлекне арттыру һәм MRR өстеннән катгыйрак контроль дигәнне аңлата, бу 7 нм дан түбән ярымүткәргеч җитештерү өчен бик мөһим. Җиһазларны дөрес урнаштыру - шлам китерү линиясендә дөрес урнаштыру - һәм даими техник хезмәт күрсәтү счетчикларның ышанычлы эшләвен һәм процесс тотрыклылыгы өчен мөһим мәгълүматлар бирүен тәэмин итү өчен бик мөһим.
Продукциянең нәтиҗәлелеген максимальләштерү, кимчелекләрне минимальләштерү һәм CMP процессларында җитештерүнең экономияле булуын тәэмин итү өчен кирәкле шлам тыгызлыгын саклау бик мөһим.
Еш бирелә торган сораулар (FAQ)
Химик механик планарлаштыру процессында шлам тыгызлыгы үлчәгечнең функциясе нинди?
Шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмасы химик механик планлаштыру процессында мөһим роль уйный, чөнки ул полировкалаучы шлам тыгызлыгын һәм концентрациясен өзлексез үлчи. Аның төп функциясе - шламдагы абразив һәм химик баланс турында реаль вакыт режимында мәгълүмат бирү, аларның икесенең дә пластинаны оптималь планлаштыру өчен төгәл чикләрдә булуын тәэмин итү. Бу реаль вакыт режимында контроль артык яки җитәрлек дәрәҗәдә суюлтылмаган шлам катнашмаларында еш очрый торган тырналу яки материалның тигез булмавы кебек кимчелекләрне булдырмый. Шлам тыгызлыгының даими булуы җитештерү процессында кабатланучанлыкны сакларга ярдәм итә, пластинадан пластинага үзгәрүен минимальләштерә һәм тайпылышлар ачыкланган очракта төзәтү чараларын башлап, процессны оптимальләштерүне хуплый. Алга киткән ярымүткәргеч җитештерү һәм югары ышанычлылык кушымталарында өзлексез мониторинг шулай ук калдыкларны киметә һәм катгый сыйфатны тәэмин итү чараларын хуплый.
Ни өчен ярымүткәргечләр сәнәгатендә кайбер планаризация этаплары өчен CeO₂ полировкалау суспензиясе өстенлекле?
Церий оксиды (CeO₂) полировкалау шламы, аеруча пыяла һәм оксид пленкалары өчен, үзенең селективлыгы һәм химик якынлыгы аркасында, ярымүткәргечле планаризацияләү этаплары өчен сайланган. Аның бердәм абразив кисәкчәләре бик түбән кимчелекләр һәм минималь өслек тырналу белән югары сыйфатлы планаризациягә китерә. CeO₂ химик үзлекләре фотоника һәм югары тыгызлыктагы интеграль микросхемалар кебек алдынгы кушымталар өчен бик мөһим булган тотрыклы һәм кабатланырлык бетерү тизлеген тәэмин итә. Моннан тыш, CeO₂ шламы агломерациягә каршы тора, хәтта озын CMP операцияләре вакытында да тотрыклы суспензияне саклый.
УЗИ шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмасы башка үлчәү төрләре белән чагыштырганда ничек эшли?
УЗИ суспензия тыгызлыгын үлчәү җайланмасы тавыш дулкыннарын суспензия аша үткәрү һәм бу дулкыннарның тизлеген һәм йомшаруын үлчәү юлы белән эшли. Суспензия тыгызлыгы дулкыннарның ничек тиз таралуына һәм аларның интенсивлыгының ни дәрәҗәдә кимүенә турыдан-туры йогынты ясый. Бу үлчәү ысулы интрузив түгел һәм процесс агымын аерып яки физик яктан бозмыйча, реаль вакытта суспензия концентрациясе мәгълүматларын бирә. УЗИ ысуллары механик (йөзүче нигезендәге) яки гравиметрик тыгызлыкны үлчәү системалары белән чагыштырганда, агым тизлеге яки кисәкчәләр зурлыгы кебек үзгәрүчәннәргә азрак сизгерлек күрсәтә. Химик механик планаризациядә бу хәтта югары агымлы, кисәкчәләргә бай суспензияләрдә дә ышанычлы, ныклы үлчәүләргә китерә.
CMP системасында шлам тыгызлыгын үлчәү җайланмаларын гадәттә кайда урнаштырырга кирәк?
Химик механик планаризация җиһазларында шлам тыгызлыгы үлчәгечне урнаштыруның оптималь урыннары түбәндәгеләрне үз эченә ала:
- Рециркуляция багы: бүлеп бирү алдыннан шламның гомуми тыгызлыгын даими күзәтеп тору өчен.
- Куллану урынына кадәр полировкалау мәйданчыгына китерелер алдыннан: бирелгән суспензиянең максатчан тыгызлык спецификацияләренә туры килүен тәэмин итү өчен.
- Шламны катнаштыру нокталарыннан соң: яңа әзерләнгән партияләрнең процесс циклына керер алдыннан кирәкле формулаларга туры килүен тәэмин итү.
Бу стратегик позицияләр шлам концентрациясендәге теләсә нинди тайпылышны тиз ачыкларга һәм төзәтергә мөмкинлек бирә, пластина сыйфатының начарлануын һәм процесс өзеклекләрен булдырмый. Урнаштыру шлам агымы динамикасы, типик катнашма тәртибе һәм планаризация мәйданчыгы янында тиз арада кире элемтәгә керү зарурлыгы белән билгеләнә.
Шлам концентрациясен төгәл контрольдә тоту CMP процессының эшчәнлеген ничек яхшырта?
Шлам концентрациясен төгәл контрольдә тоту, тигез бетерү тизлеген тәэмин итү, катламнарның каршылыгы үзгәрүен минимальләштерү һәм өслек кимчелекләренең ешлыгын киметү юлы белән химик механик яссыландыру процессын яхшырта. Шлам тыгызлыгының тотрыклы булуы абразивны артык яки аз куллануны булдырмау юлы белән полировкалау тактасы һәм пластинаның гомерен озайта. Ул шулай ук шлам куллануны оптимальләштерү, яңадан эшләүне киметү һәм ярымүткәргеч җайланмаларның югарырак чыгышын тәэмин итү юлы белән процесс чыгымнарын киметә. Аеруча алдынгы җитештерүдә һәм квант җайланмалары җитештерүдә, шламны катгый контрольдә тоту кабатланырлык яссылыкны, тотрыклы электр эшчәнлеген һәм җайланма архитектуралары буенча агып чыгуны киметүне хуплый.
Бастырылган вакыты: 2025 елның 9 декабре
